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BDV65BG中文资料

BDV65BG图片

BDV65BG外观图

  • 大小:106.5KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-93; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:1000; Transistor Case Style:SOT-93; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:TO-218; Av Current Ic:12A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Continuous Collector Current Ic Max:12A; Current Ic Continuous a Max:12A; Current Ic hFE:5A; Device Marking:BDV65B; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:1000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-93; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Ptot Max:125...
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 20mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 5A,4V
  • 功率 - 最大:125W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-218-3
  • 供应商设备封装:SOT-93
  • 包装:管件
  • 其它名称:BDV65BG-NDBDV65BGOS

BDV65BG供应商

更新时间:2023-01-29 14:52:51
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